18a 制程文章最新資訊

國(guó)內(nèi)最后一家 12 英寸晶圓廠 AMS 宣告失敗—又一家芯片項(xiàng)目失敗案例

江蘇先進(jìn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體（AMS）已發(fā)布聲明正式宣布其重組計(jì)劃失敗。這不僅標(biāo)志著我國(guó)最后一家 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目的最終崩潰，也成為了該國(guó)未完成的科技企業(yè)浪潮的典型案例，正如新浪所指出。報(bào)告指出，AMS 的重組工作始于 2023 年 7 月。當(dāng)時(shí)，這家公司——曾計(jì)劃投資 130 億元人民幣建設(shè) 12 英寸晶圓廠——被破產(chǎn)清算。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，其核心資產(chǎn)包括一臺(tái)價(jià)值 1.43 億元人民幣的 ASML 光刻機(jī)。AMS 的失敗凸顯了我國(guó)在積極推動(dòng)新建半導(dǎo)體項(xiàng)目過(guò)程中面臨的更廣泛?jiǎn)栴}。據(jù) Tom’s Hardwar
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Intel Panther Lake預(yù)覽：18A是期待已久的游戲規(guī)則改變者嗎？

在 Computex 上，英特爾分享了其即將推出的 Panther Lake 的主要亮點(diǎn)。盡管技術(shù)細(xì)節(jié)有限，但該公司透露了幾個(gè)值得注意的點(diǎn)：Panther Lake 有望提供與 Lunar Lake 相當(dāng)?shù)哪苄В哂信c當(dāng)前 Arrow Lake H 系列相當(dāng)?shù)男阅軆?nèi)核，并包括下一代集成 GPU 架構(gòu)。最重要的是，Panther Lake 將建立在英特爾先進(jìn)的 18A 工藝之上。TechNews 在以下段落中仔細(xì)研究了 18A 是否真的值得期待。Intel 10 和 Intel 7 時(shí)代
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CellWise 以 23.7 億瑞典克朗的價(jià)格出售其海外工廠的控制股權(quán)

2025 年 6 月 13 日，CellWise 發(fā)布了一份關(guān)于重大資產(chǎn)出售的草案報(bào)告摘要，稱(chēng)其計(jì)劃將其全資子公司 Silex Sweden 的控制權(quán)轉(zhuǎn)讓給包括 Bure 和 Creades 在內(nèi)的七家買(mǎi)家。具體而言，CellWise 的全資子公司將向 Silex Sweden 轉(zhuǎn)讓 441,0115 股——相當(dāng)于交易后總股本的 45.24%——以現(xiàn)金形式進(jìn)行。根據(jù)公告，該交易的定價(jià)為23.75億瑞典克朗。交易前，CellWise 通過(guò)其子公司持有 Silex Sweden 的 100%股權(quán)，使 Sile
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Intel 18A制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光：性能與密度全面提升

據(jù)報(bào)道，在2025年英特爾代工大會(huì)及VLSI研討會(huì)上，英特爾進(jìn)一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，相比FinFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了重大突破。這一技術(shù)不僅提升了柵極靜電性能，還顯著降低了寄生電容，提高了設(shè)計(jì)靈活性。同時(shí)，Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術(shù)，該技術(shù)將單元密度和利用率提升了5%-10%，并顯著降低了供電電阻，使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能
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2納米芯片制造激烈競(jìng)爭(zhēng)：良率差距顯著

在持續(xù)進(jìn)行的半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電和三星電子正激烈爭(zhēng)奪2納米芯片制造的領(lǐng)先地位。據(jù)最新報(bào)道，兩家公司計(jì)劃于2025年下半年開(kāi)始2納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。然而，由于良率優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電在獲取訂單方面處于領(lǐng)先地位。臺(tái)積電已開(kāi)始接收其 2 納米工藝的訂單，預(yù)計(jì)將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)。這標(biāo)志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)。新工藝預(yù)計(jì)將比當(dāng)前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報(bào)包括 AMD、蘋(píng)果、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科。值
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下半年，2nm競(jìng)爭(zhēng)升溫

三強(qiáng)蓄勢(shì)待發(fā)。
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1.1 億歐元計(jì)劃用于在德累斯頓建設(shè) GF 晶圓

據(jù)報(bào)道，全球晶圓代工廠（GF）將在未來(lái)幾年內(nèi)投資 11 億歐元，將其位于德國(guó)德累斯頓的芯片工廠產(chǎn)能翻倍。這消息傳來(lái)之際，該公司還宣布為位于紐約馬耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工廠和氮化鎵（GaN）芯片工廠追加 30 億美元資金。公司此前已宣布為這些地點(diǎn)投入 130 億美元資金，以及最近啟動(dòng)的紐約先進(jìn)封裝和光子中心。然而，美國(guó)政府在減少對(duì)佛蒙特州和包裝中心的資金支持。這是否屬于當(dāng)前的歐盟芯片法案，還是屬于下一階段芯片法案的談判，還有待觀察。當(dāng)前的歐盟芯片法案因缺乏資金提供、成果和效益的透明度而受到歐洲審計(jì)
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芯片的先進(jìn)封裝會(huì)發(fā)展到4D？

電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱(chēng)為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對(duì)于封裝內(nèi)的集成，情況就要復(fù)雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據(jù)：1.物理結(jié)構(gòu)，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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臺(tái)積電2nm需求超所有其它制程！蘋(píng)果、NVIDIA、AMD都想要

5月6日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)"淘金熱"。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當(dāng)，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。此外，與3nm增強(qiáng)版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認(rèn)為是2nm制程的最大客戶，可
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Synopsys支持英特爾18A-P、E工藝技術(shù)

Synopsys 為 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)了生產(chǎn)就緒型設(shè)計(jì)流程。這些產(chǎn)品將于今年晚些時(shí)候進(jìn)入量產(chǎn)，用于使用 RibbonFET 全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管和第一個(gè)背面供電架構(gòu)的 1.8nm 設(shè)計(jì)。兩家公司還致力于英特爾 14A-E 高效低功耗工藝的早期設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化。這是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程團(tuán)隊(duì)之間廣泛設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）努力的結(jié)果。Synopsys 還針對(duì) Intel 18A 優(yōu)化了其 IP
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一文看懂英特爾的制程工藝和系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

一文帶你看懂英特爾的先進(jìn)制程工藝和高級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的全部細(xì)節(jié)... 1. 制程技術(shù)Intel 18A 英特爾18A制程節(jié)點(diǎn)正在按既定計(jì)劃推進(jìn)，首個(gè)外部客戶的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預(yù)計(jì)將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡，基于該制程節(jié)點(diǎn)的首款產(chǎn)品，代號(hào)為Panther Lake，將于2025年年底推出，更多產(chǎn)品型號(hào)將于2026年上半年發(fā)布。【英特爾新篇章：重視工程創(chuàng)新、文化塑造與客戶需求；英特爾發(fā)布2025年第一季度財(cái)報(bào)
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點(diǎn)即將推出

4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國(guó)加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片 14A 測(cè)試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱(chēng)為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)今年晚
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日本政府?dāng)M2025年成Rapidus股東，修法已通過(guò)

據(jù)日本共同通信社和日經(jīng)新聞報(bào)道，日本政府計(jì)劃在2025年下半年對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計(jì)劃的法律基礎(chǔ)已經(jīng)確立，日本參議院于4月25日通過(guò)了《信息處理促進(jìn)法》等修正案，正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省（經(jīng)產(chǎn)省）主管的信息處理推進(jìn)機(jī)構(gòu)（IPA）將新增金融業(yè)務(wù)，向民間金融機(jī)構(gòu)為下一代半導(dǎo)體企業(yè)提供債務(wù)擔(dān)保。這一機(jī)制將使日本政府能夠通過(guò)IPA對(duì)Rapidus進(jìn)行出資，出資對(duì)象將通過(guò)公開(kāi)招募選定，預(yù)計(jì)為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預(yù)算中預(yù)留了1,000億日元
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臺(tái)積電高歌猛進(jìn)，二線廠商業(yè)績(jī)承壓

作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺(tái)積電全年合并營(yíng)收達(dá)900億美元，同比增長(zhǎng)30%；稅后凈利達(dá)365億美元，同比大幅增長(zhǎng)35.9%。毛利率達(dá)到56.1%，營(yíng)業(yè)利益率達(dá)45.7%，皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季，臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電首季毛利率達(dá)58.8%，且預(yù)計(jì)第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間；美元營(yíng)收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)13%、同比增長(zhǎng)近40%。與之形成鮮明對(duì)比的是，二線代工廠首季營(yíng)運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來(lái)看，聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣578
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱(chēng)將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)

財(cái)聯(lián)社4月23日訊（編輯馬蘭）據(jù)媒體報(bào)道，英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。英特爾聲稱(chēng)將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺(tái)積電的一個(gè)原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動(dòng)，而不是性能或回報(bào)等方面的問(wèn)題。還有傳言稱(chēng)，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺(tái)積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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